RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3079
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link