RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
43
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2333
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link