RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
43
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
4089
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link