RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
43
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
21
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
19.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
4293
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link