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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2824
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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