RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
43
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2680
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ20UF8BDW0-GN-F 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link