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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
72
Autour de 40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
72
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
1593
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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