RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
2658
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link