RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
59
Autour de -168% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3162
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link