RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3226
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link