RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
59
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2845
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link