RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
59
Autour de -228% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3601
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link