RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3593
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link