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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
59
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2853
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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