RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2873
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link