RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3268
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link