RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
59
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3738
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link