RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3659
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link