RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2403
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link