RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
59
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2650
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link