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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de -119% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3271
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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