RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
76
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.4
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
76
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1624
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link