RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2771
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link