RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
59
Autour de -51% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2771
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Mushkin 996902 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Jinyu 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link