RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
73
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
73
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1736
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link