RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
59
Autour de -16% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
51
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2597
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link