RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
59
Autour de -79% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2553
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link