RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2616
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link