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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
59
Autour de -74% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3138
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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