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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
59
Autour de -119% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3245
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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