Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,123.3 left arrow 11.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 59
    Autour de -119% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,833.8 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,123.3 left arrow 11.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    731 left arrow 2687
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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