RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
59
Autour de -168% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2566
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link