RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
59
Autour de -11% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2703
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link