RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2510
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link