RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
59
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2792
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link