RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
59
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2220
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Jinyu 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link