RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
59
Autour de -79% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2284
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link