RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2892
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link