RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3634
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link