RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de -146% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2946
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link