RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3910
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link