RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2449
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link