RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
59
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
46
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2571
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link