RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
62
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
2,123.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
1586
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link