RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
69
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3046
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link