RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
69
Autour de -123% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3022
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link