RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
69
Autour de -116% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3379
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link