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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
69
Autour de -176% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2991
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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