RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
69
Autour de -146% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3705
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link