RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
22
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
69
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3830
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link