RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
69
Autour de -57% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
44
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2803
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link